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簡要描述：高速納秒光衰減器廠家直供簡介具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，集成度有助于大
產品型號：ZG-VOA-NS廠商性質：生產廠家更新時間：2024-12-29訪 問 量：2104詳細介紹
| 品牌 | 梓冠 | 價格區(qū)間 | 1-500 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
| 波長 | 1260~1650nm |
簡介
具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級的響應速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應、小型化、高可靠的需求。其響應速度比傳統(tǒng)VOA提升4個數(shù)量級，達到100ns級，使WDM光網絡中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網絡應用要求，集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態(tài)波導芯片使其具備可靠性。
特性 應用
100ns級高速響應 通道間光功率均衡或阻塞
多至48通道單片集成 模擬信號調制
全固態(tài)波導芯片
超低光損耗
主要指標（典型值）
性能指標 | 單位 | 吸收型 | 備注 |
工作波長 | nm | 1525～1565 | |
響應時間 | ns | 100-300 | |
插入損耗 | dB | 1.2 | 光纖進到光纖出的損耗 |
衰減范圍 | dB | 25 | |
偏振相關性 | dB | ≤0.3 | @0dB衰減時 |
≤0.5 | @0~25dB衰減時 | ||
功耗(@18dB衰減) | mW | 150 | 隨衰減量增大而增大 |
電壓 | V | 1.2 | |
電流 | mA | 0-35 | |
集成度 | / | 6CH/48CH |
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