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簡要描述：硅基光延時芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
產(chǎn)品型號：ZG廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-05-10訪 問 量：1715詳細介紹
| 品牌 | 梓冠 |
|---|
硅基單片集成 6 比特光延時芯片
〖簡介Introduction〗
梓冠光電的單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
硅基6 比特光延時芯片
硅基6 比特光延時芯片
特性Features〗
n 高速切換
高延時精度
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強
〖應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)
〖主要性能指標 Specifications〗
性能指標 Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數(shù) Delay bits | / | 6 | 可定制 Can be customized |
最小延時步進 Min.step-delay | ps | 59.2 | 可定制 Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時量 Adjustable max.delay | ps | 3729.6 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態(tài)損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 22×10×0.7 |
〖2×2 光開關(guān)（圖 1）的“交叉"、“直通"傳輸狀態(tài)定義如下〗
〖The "Cross" and "Bar" transmission states of the 2×2 optical switch (Figure 1) is defined as follows〗
“交叉"狀態(tài)（Cross 態(tài)）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出時，即為"交叉“態(tài)（A→D）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號輸出，輸出端 D 沒有光信號輸出，也為"交叉“態(tài)（B→C）。
“直通"態(tài)（bar 態(tài)）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號，輸出端 D 沒有光信號輸出時，即為"直通“態(tài)（A→C）；類似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號輸出，輸出端 C 沒有光信號輸出，也為“直通"態(tài)（B→àD。
序號No. | 名稱Name | 描述 Description | 序號 No. | 名稱 ame | 描述 Description |
1 | DMY | dummy | 19 | CH5+C | 開關(guān) 5 正極 cross 態(tài) |
2 | DMY | dummy | 20 | CH5- | 開關(guān) 5 負極 |
3 | DMY | dummy | 21 | CH5+B | 開關(guān) 5 正極 bar 態(tài) |
4 | DMY | dummy | 22 | CH6+C | 開關(guān) 6 正極 cross 態(tài) |
5 | DMY | dummy | 23 | CH6- | 開關(guān) 6 負極 |
6 | DMY | dummy | 24 | CH6+B | 開關(guān) 6 正極 bar 態(tài) |
7 | CH4+B | 開關(guān) 1 正極 bar 態(tài) | 25 | CH7+C | 開關(guān) 7 正極 cross 態(tài) |
8 | CH4- | 開關(guān) 1 負極 | 26 | CH7- | 開關(guān) 7 負極 |
9 | CH4+C | 開關(guān) 1 正極 cross 態(tài) | 27 | CH7+B | 開關(guān) 7 正極 bar 態(tài) |
10 | CH3+B | 開關(guān) 2 正極 bar 態(tài) | 28 | CH8+ | To be defined |
11 | CH3- | 開關(guān) 2 負極 | 29 | CH8- | To be defined |
12 | CH3+C | 開關(guān) 2 正極 cross 態(tài) | 30 | CH8+ | To be defined |
13 | CH2+B | 開關(guān) 3 正極 bar 態(tài) | 31 | DMY | dummy |
14 | CH2- | 開關(guān) 3 負極 | 32 | DMY | dummy |
15 | CH2+C | 開關(guān) 3 正極 cross 態(tài) | 33 | DMY | dummy |
16 | CH1+B | 開關(guān) 4 正極 bar 態(tài) | 34 | DMY | dummy |
17 | CH1- | 開關(guān) 4 負極 | 35 | DMY | dummy |
18 | CH1+C | 開關(guān) 4 正極 cross 態(tài) | 36 | DMY | dummy |
硅基6 位光延時芯片
硅基6 位光延時芯片
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